功率MOSFET概述
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
功率MOSFET分析
（一）功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/div>
(1)等效電路
(2)說明：
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。
（二）功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐?1)
(1)等效電路(門極不加控制)
(2)說明：
即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。
（三）功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐?2)
(1)等效電路(門極加控制)
(2)說明：
功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。
（四）功率MOSFET的正向截止等效電路
(1)等效電路
(2)說明：
功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。
（五）功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
(1)功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線
(2)說明：
功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時的穩(wěn)態(tài)工作點：
當(dāng)門極不加控制時，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。
(3)穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：
1、門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)VgsVth時，器件處于導(dǎo)通狀態(tài);器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān)，Vgs大，通態(tài)電阻小;多數(shù)器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V;
2、器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的;
3、器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題;
4、目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小;
5、器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常小(目前最小的為2-4 毫歐)，在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件;
（六）包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路
(1)等效電路
(2)說明：
實際的功率MOSFET 可用三個結(jié)電容，三個溝道電阻，和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。
（七）功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理
(1)開通和關(guān)斷過程實驗電路
(2)MOSFET 的電壓和電流波形：
(3)開關(guān)過程原理：
開通過程[t0 ~ t4]：
1、在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通;
2、[t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電;
3、[t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大;
4、[t2-t3]區(qū)間，至t2 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小;
5、[t3-t4]區(qū)間，至t3 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩(wěn)態(tài)，DS 電壓也達最小，即穩(wěn)定的通態(tài)壓降。
關(guān)斷過程[ t5 ~t9 ]：
1、在 t5 前，MOSFET 工作于導(dǎo)通狀態(tài)， t5 時，MOSFET 被驅(qū)動關(guān)斷;
2、[t5-t6]區(qū)間，MOSFET 的Cgs 電壓經(jīng)驅(qū)動電路電阻放電而下降，在t6 時刻，MOSFET 的通態(tài)電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變;
3、[t6-t7]區(qū)間，在t6 時刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過Millier 電容，使DS 電壓繼續(xù)增加;
4、[t7-t8]區(qū)間，至t7 時刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開始繼續(xù)放電，此時DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降;
5、[t8-t9]區(qū)間，至t8 時刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關(guān)斷;該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。
（八）因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開關(guān)波形
(1)實驗電路
(2)因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開關(guān)波形：
（九）功率MOSFET的功率損耗公式
(1)導(dǎo)通損耗：
該公式對控制整流和同步整流均適用
該公式在體二極管導(dǎo)通時適用
(2)容性開通和感性關(guān)斷損耗：
為MOSFET 器件與二極管回路中的所有分布電感只和。一般也可將這個損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。
(3)開關(guān)損耗：
開通損耗：
考慮二極管反向恢復(fù)后：
（十）功率MOSFET的選擇原則與步驟
(1)選擇原則
(A)根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件(見下表)：
(B)選擇時，如工作電流較大，則在相同的器件額定參數(shù)下，
應(yīng)盡可能選擇正向?qū)娮栊〉?MOSFET;
應(yīng)盡可能選擇結(jié)電容小的 MOSFET。
(2)選擇步驟
(A)根據(jù)電源規(guī)格，計算所選變換器中MOSFET 的穩(wěn)態(tài)參數(shù)：
正向阻斷電壓最大值;
最大的正向電流有效值;
(B)從器件商的DATASHEET 中選擇合適的MOSFET，可多選一些以便實驗時比較;
(C)從所選的MOSFET 的其它參數(shù)，如正向通態(tài)電阻，結(jié)電容等等，估算其工作時的最大損耗，與其它元器件的損耗一起，估算變換器的效率;
(D)由實驗選擇最終的MOSFET器件。
（十一）開關(guān)器件的分類
(1)按制作材料分類：
1、(Si)功率器件;
2、(Ga)功率器件;
3、(GaAs)功率器件;
4、(SiC)功率器件;
5、(GaN)功率器件;
6、(Diamond)功率器件;
(2)按是否可控分類：
1、完全不控器件：如二極管器件;
2、可控制開通，但不能控制關(guān)斷：如普通可控硅器件;
3、全控開關(guān)器件
4、電壓型控制器件：如MOSFET，IGBT，IGT/COMFET ，SIT 等;
5、電流型控制期間：如GTR，GTO 等
(3)按工作頻率分類：
1、低頻功率器件：如可控硅，普通二極管等;
2、中頻功率器件：如GTR，IGBT，IGT/COMFET;
3、高頻功率器件：如MOSFET，快恢復(fù)二極管，蕭特基二極管，SIT等
(4)按額定可實現(xiàn)的最大容量分類：
1、小功率器件：如MOSFET
2、中功率器件：如IGBT
3、大功率器件：如GTO
(5)：按導(dǎo)電載波的粒子分類：
1、多子器件：如MOSFET，蕭特基，SIT,JFET 等
2、少子器件：如IGBT，GTR，GTO，快恢復(fù)，等
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