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    6. IRLML6402場效應管參數(shù)-MOS管IRLML6402

      IRLML6402場效應管參數(shù)-MOS管IRLML6402

      發(fā)布時間:2020-09-23 23:34:15
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      產(chǎn)品概述
      IRLML6402場效應管參數(shù)
      烜芯微生產(chǎn)貼片IRLML6402場效應管,提供IRLML6402場效應管規(guī)格書參數(shù),IRLML6402MOS管資料與IRLML6402場效應管的作用
      IRLML6402場效應管參數(shù)具體如下:
      極性:NPN
      Power Dissipation(w)功耗:540mW
      Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:1.2A
      Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:20V
      Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±12V
      Junction and Storage Temperature Range :結和儲存溫度范圍:-55 to 150℃
      IRLML6402場效應管,SOT-23封裝尺寸:
      黑膠長:最高值3.0mm,最低值2.8mm
      黑膠寬:最高值1.4mm,最低值1.2mm
      總寬:最高值2.55mm,最低值2.25mm
      高:最高值1.0mm,最低值0.9mm
      總高:最高值1.1mm,最低值0.9mm
      IRLML6402
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