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    6. 關(guān)于電阻方式二極管連接的MOS管問題分析
      • 發(fā)布時(shí)間:2021-03-19 20:02:55
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      關(guān)于電阻方式二極管連接的MOS管問題分析
      對于基本的二極管連接的 mosfet,我們都知道其阻抗約為 1/gm。在實(shí)際電路中,也有其他類似的接法,如對于下圖中 A,B 分別所示的電阻方式的連接:圖中 A 在考慮調(diào)零電阻對輸出阻抗影響時(shí)有類似的問題,而 B 則見于自偏置方式的 cascode 接法。這里,我們來看下各自的等效阻抗的變化。
      二極管連接的MOS管
      對于 A 結(jié)構(gòu)
      在考慮直流情況下, 電阻上沒有電流流過, 實(shí)際X點(diǎn)和Y點(diǎn)電位相等, 可以認(rèn)為和基本的二級管連接的電路相同, 其等效阻抗為 1/gm.
      我們也可以分析其小信號電路, 注意這里考慮 X 點(diǎn)對地的電容 Cx, 通過分析可以得到在 Y 點(diǎn)看到的阻抗為: Ry=(1+s*Cx*R)*rds/[1+gm*rds+s*Cx*(rds+R)]
      若忽略 rds, 可簡化為:
      Ry=(1/gm)*(1+s*Cx*R)/(1+s*Cx/gm),
      在直流下, Ry=rds/(1+gm*rds),  同樣可以看出其阻抗近似為 1/gm
      需要注意的是,若使得 R=1/gm,則 Ry 表達(dá)式中零極點(diǎn)可以對消,從而得到更好的頻率響應(yīng),這也是有些高速電流鏡采用類似結(jié)構(gòu)的原因,如下圖所示。
      二極管連接的MOS管
      高速電流鏡
      對于 B 結(jié)構(gòu)
      若不考慮寄生電容的影響,對電路分析可以得到:
      1.  Vx=Vy-Iy*R
      2.  Iy=gm*Vy+Vx/rds
      計(jì)算簡化之后, 可以得到 Y 節(jié)點(diǎn)的等效阻抗為:
      Ry=(rds+R)/(1+gm*rds), 近似為 (1+ R/rds)/gm, 可以看出仍是 1/gm 量級。
      上面的結(jié)果同樣可以通過反饋的考慮得到, 只是需要注意此時(shí)的環(huán)路增益為 gm*rds 而不是 gm*(R+rds), 這實(shí)際上可以和 Cascode 的增益 gm1*ro1*(1+gm2*ro2)對比,若 Cascode 管 gm2=0,即變?yōu)楹唵坞娮?ro2 串聯(lián)在輸入管上,增益變?yōu)?gm1*ro1.
      具體的小信號分析可見下圖:
      二極管連接的MOS管
      開環(huán)等效電路
      上圖中將 Y 節(jié)點(diǎn)的反饋斷開,考慮電阻 R 一端接電流源,故認(rèn)為開路,因此反饋的電壓
      Vy,out=Vy,in * gm*(R+rds)
      考慮到電路在輸出為電壓(并聯(lián))反饋,因此加入反饋后阻抗變?yōu)? Ry=(rds+R)/(1+gm*rds)
      利用類似的分析,同樣可以得到 X 節(jié)點(diǎn)的等效阻抗,注意此時(shí)是在 X 節(jié)點(diǎn)注入一個(gè)小信號電流看其等效阻抗,得到的結(jié)果與 A 結(jié)構(gòu)類似:Rx=rds/(1+gm*rds)。這里需要注意的是 X 節(jié)點(diǎn)的等效阻抗比 Y 節(jié)點(diǎn)的等效阻抗更小。
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