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    6. NMOS,PMOS管串聯(lián)穩(wěn)壓電路與區(qū)別
      • 發(fā)布時間:2022-04-13 22:28:06
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      NMOS,PMOS管串聯(lián)穩(wěn)壓電路與區(qū)別
      NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示:
      NMOS PMOS 穩(wěn)壓電路
      NMOS PMOS 穩(wěn)壓電路
      兩種電路的設計參數(shù)基本一致,區(qū)別僅在于:
      PMOS、NMOS管的不同;
      LT1014采樣管腳的正負不同,這是因為兩種管子所需要的的驅(qū)動電壓相反的緣故;
      兩種電路相比較,主要有以下區(qū)別:
      NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on;
      NMOS型穩(wěn)壓電路所需的輸入輸出壓差小于PMOS型的輸入輸出壓差;
      下面仿真對比一下兩種電路的最小壓差:
      NMOS PMOS 穩(wěn)壓電路
      在5V、5.1V、5.2V這三個輸入電壓下,NMOS的輸出電壓情況好于PMOS,這主要是跟MOS管的Rds.on有關系,選型的時候盡量取Rds.on小的管子;
      通常PMOS、NMOS管選型時,NMOS管的Rds.on做的比PMOS管要小,需要根據(jù)實際應用實際產(chǎn)品選型滿足設計要求、溫升、成本的管子,也是折中的一個過程。
      串聯(lián)穩(wěn)壓電路除了用運放的方式來實現(xiàn),也可以用TL431來實現(xiàn),或者78、79系列的穩(wěn)壓管,或者穩(wěn)壓芯片,選擇非常多。
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