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      二極管、三極管、MOS管、橋堆

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    6. Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解
      • 發(fā)布時(shí)間:2023-01-31 15:27:12
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      Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解
      MOS管
      Cadence仿真中,MOS管的參數(shù)很多,有些參數(shù)可以直接添加到計(jì)算器中,進(jìn)行數(shù)據(jù)的計(jì)算。
      type:MOS管類型,可能值為 n 或 p。
      region:MOS管的工作區(qū)域,可能值為 0~4,分別對(duì)應(yīng):0: 關(guān)斷;1: 線性區(qū);2: 飽和區(qū);3: 亞閾值區(qū);4: 擊穿
      reversed:MOS管是否反向,可能值為 yes 或 no。
      ids (A): 阻性漏源電流
      lx4 (A): ids 的別名,當(dāng) MOS管反向時(shí)有相反的符號(hào)。
      lx50 (A):襯源電流。
      vgs / lx2 (V):柵源電壓。
      vds / lx3 (V):漏源電壓。
      vbs / lx1 (V):襯源電壓。
      vth (V):有效閾值電壓。
      lv9 (V):vth 的別名。
      vdsat (V):漏源飽和電壓。
      lv26 (V):平帶電壓(Flat-band voltage)。
      lv10 (V):vdsat 的別名。
      gm / lx7 (S):共源跨導(dǎo)。
      gds / lx8 (S):共源輸出跨導(dǎo)。
      gmbs / lx9 (S):襯底跨導(dǎo)。
      betaeff (A/V2):有效 β 值。
      cjd / lx29 (F):漏區(qū)襯底結(jié)電容。
      cjs / lx28 (F):源區(qū)襯底結(jié)電容。
      lx12 (Coul):襯底電荷(Qb)
      lx14 (Coul):柵極電荷(Qg)
      lx16 (Coul):漏區(qū)電荷(Qd)
      lx24 (Coul):漏區(qū) PN 結(jié)電荷。
      lx26 (Coul):源區(qū) PN 結(jié)電荷。
      cgg / lx18 (F):dQg_dVg
      cgd / lx19 (F):dQg_dVd
      cgs / lx20 (F):dQg_dVs
      cgb (F):dQg_dVb
      cdg / lx32 (F):dQd_dVg
      cdd / lx33 (F):dQd_dVd
      cds / lx34 (F):dQd_dVs
      cdb (F):dQd_dVb
      csg (F):dQs_dVg
      csd (F):dQs_dVd
      css (F):dQs_dVs
      csb (F):dQs_dVb
      cbg / lx21 (F):dQb_dVg
      cbd / lx22 (F):dQb_dVd
      cbs / lx23 (F):dQb_dVs
      cbb (F):dQb_dVb
      ron():導(dǎo)通電阻。
      id / i1 (A):漏端電流。
      is / i3 (A):源端電流。
      ibulk / i4 (A):襯底電流。
      lx5 (A):源端 PN 結(jié)電流。
      lx6 (A):漏端 PN 結(jié)電流。
      pwr (W):處于工作點(diǎn)時(shí)的功耗。
      gmoverid (1/V):Gm/Ids
      lv36 (F):柵源交疊電容。
      lv37 (F):柵漏交疊電容。
      lv38 (F):柵襯底交疊電容。
      lx10 (S):漏區(qū)二極管跨導(dǎo)。
      lx11 (S):源區(qū)二極管跨導(dǎo)。
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