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      100N10場(chǎng)效應(yīng)管,MOS管100N10參數(shù),100N10封裝DFN5*6
      • 發(fā)布時(shí)間:2023-07-06 20:42:12
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      100N10,100N10場(chǎng)效應(yīng)管,MOS管100N10參數(shù),100N10封裝DFN5*6
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      100N10
      100N10 DFN5*6參數(shù)封裝:點(diǎn)擊查看100N10
      100N10封裝有DFN5*6/TO-252/TO-220/TO-220F
      100N10場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)如下:
      100N10
       
      極性:NPN
      Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:100V
      Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±20V
      Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:100A
      Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃:60A
      Power Dissipation 功率損耗Pd:113.6W
      Static Drain-Source On-Resistance 內(nèi)阻ID=20A,VGS=10V:Typ:4.5mΩ Max 6mΩ
      Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
      100N10場(chǎng)效應(yīng)管DFN5*6封裝尺寸:
      100N10
      100N10場(chǎng)效應(yīng)管TO-252封裝尺寸:
      100N10
      100N10場(chǎng)效應(yīng)管TO-220封裝尺寸:
      100N10
      100N10場(chǎng)效應(yīng)管TO-220F封裝尺寸:
      100N10
       
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