FET的全稱是場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor），通過在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場來改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。在不同的電場下，半導(dǎo)體會(huì)呈現(xiàn)出不同的導(dǎo)電特性，因此稱為“場效應(yīng)”管。

BJT基本公式：IC=βIB，工作機(jī)制是通過基級電流IB控制集電極電流IC。

BJT中的B是指“雙極性（bipolar）”，意思是其內(nèi)部同時(shí)存在電子和空穴這兩種極性的導(dǎo)電載流子；而FET卻是“單極性（unipolar）”元件，其導(dǎo)電僅靠一種載流子：N溝道場效應(yīng)管中僅有電子導(dǎo)電，P溝道場效應(yīng)管中僅有空穴導(dǎo)電。

BJT和FET的區(qū)別：

電極區(qū)別：

BJT：基極（B），發(fā)射極（E），集電極（C）

FET：柵極（G），源極（S），漏極（D）

控制類型：

BJT：電流控制--通過控制基極電流來控制集電極電流的變化

FET：電壓控制--通過控制柵極電壓來控制漏極電流變化

阻抗差別：

BJT：輸入阻抗較低（幾百歐姆-幾千歐姆），基極電流較大，輸出電阻較高，對前級電路影響較大，必須阻抗匹配才能工作

FET：輸入阻抗極高（兆歐以上），MOS管更高，柵極幾乎沒有電流，對前級電路影響較小，輸出電阻同樣也很高

載流子：

BJT：兩種載流子--少子和多子，屬于雙極性器件 Bipolar Transistor.

FET：一種載流子--多子，屬于單極性器件，要么是空穴要么是自由電子導(dǎo)電。

穩(wěn)定性（噪聲）：

BJT：噪聲更大--因?yàn)樯僮訁⑴c了導(dǎo)電，而少子容易受到溫度的影響，熱穩(wěn)定性較差

FET：噪聲更小--因?yàn)橹挥卸嘧訉?dǎo)電，熱穩(wěn)定性更好，噪聲小

分類：

BJT：PNP和NPN

FET：

按溝道：N型和P型

按原理：JFET和MOSFET（增強(qiáng)型、耗盡型）

特性曲線：

BJT：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)、擊穿區(qū)——轉(zhuǎn)移特性按指數(shù)規(guī)律變化

FET：截至區(qū)、放大區(qū)、可變電阻區(qū)、擊穿區(qū)——轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化（非線性失真更大）

放大能力：

BJT：參數(shù)——電流放大倍數(shù)β

FET：參數(shù)——跨導(dǎo)gm

兩者相比BJT電壓放大倍數(shù)更大

電容差別：

BJT：極間電容較大，耦合電容較大

FET：極間電容較小，耦合電容較?。ㄝ斎腚娮栎^高）

在只允許從信號源取較少（高輸出阻抗）電流的情況下，選用FET，達(dá)到阻抗匹配目的，適用于低噪高輸入電阻的前置電路；在信號電壓較低，允許取用電流的情況下，選用BJT。作為開關(guān)管，F(xiàn)ET的效率較高，多用在大電流、高速開關(guān)電源上；在環(huán)境溫度變化較大的場合應(yīng)使用FET。

FET的各種性能指標(biāo)都要優(yōu)于BJT，比如：輸入阻抗高、功耗低、熱穩(wěn)定性好等等。尤其是高輸入阻抗這點(diǎn)，一般FET的的輸入阻抗可以達(dá)到1兆歐到幾百兆歐，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過BJT的典型輸入阻抗，這個(gè)在設(shè)計(jì)放大電路時(shí)非常有用。早年由于FET價(jià)格稍貴，因此在分立元件電路中，BJT還用得比較多。但現(xiàn)在FET的價(jià)格也已經(jīng)很低了，因此通常在設(shè)計(jì)應(yīng)用電路時(shí)，能用FET就盡量用FET。只有在一些需要極端壓榨成本的場合、或者需要大電流放大時(shí)、還有些超高頻電路中，才會(huì)用到BJT。