米勒效應是以約翰·米爾頓·米勒命名的。1919年或1920年米勒在研究真空管三極管時發(fā)現了這個效應，這個效應也適用于現代的半導體三極管。
米勒效應（Miller effect）是指晶體管放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數。
雖然一般米勒效應指的是電容的放大，但是任何輸入與其它高放大節(jié)之間的阻抗也能夠通過米勒效應改變放大器的輸入阻抗。
什么是米勒效應？
假設一個增益為-Av 的理想反向電壓放大器
在放大器的輸出和輸入端之間連接一個阻值為Z 的阻抗。
得到，
把阻抗Z 替換為容值為C 的電容，
由此可見，反向電壓放大器增加了電路的輸入電容，并且放大系數為（1+Av）。
米勒效應的危害
當使用高頻信號傳輸時，米勒效應可能會導致輸出信號的失真，而且各向同性的元件（比如二極管、晶體管等）產生的電容不可避免地引入了米勒效應，從而提高了誤差和噪聲，甚至還會導致系統(tǒng)的不穩(wěn)定。
mos管的米勒效應分析
MOSFET中柵-漏間電容，構成輸入（GS）輸出（DS）的反饋回路，MOSFET中的米勒效應就形成了。
在t0-t1 時間內，VGS上升到MOSFET 的閾值電壓VG(TH)。
在t1-t2時間內，VGS繼續(xù)上升到米勒平臺電壓， 漏極電流ID 從0 上升到負載電流 。（NOTE：在漏極電流IDS未到負載電流ID時，一部分的負載電流（IDS-ID）流過二極管D，二極管導通MOSFET的漏極電壓VDS被VDD鉗位，保持不變，驅動電流只給CGS充電，VGS電壓升高。一旦IDS達到負載電流 , 二極管D反向截止，MOSFET的漏極電壓VDS開始下降，驅動電流全部轉移給CGD充電，VGS也就保持米勒平臺電壓不變。）
在t2-t3 時間內，VGS一直處于平臺電壓，VDS開始下降至正向導通電壓VF。
在t3-t4 時間后，VGS繼續(xù)上升。
米勒效應在電子電路中應用廣泛:
（1）米勒積分
在集成運算放大器開環(huán)增益A很高的情況下，展寬積分線性范圍，提高運算精度，獲得了廣泛的運用。
（2）用米勒電容補償，消除自激反應
由于米勒電容補償后的頻率響應，是一種在0dB帶寬不受損失的情況下, 使集成運算放大器沒有產生自激可能品質優(yōu)良的“完全補償‘。
同時，米勒效應使小補償電容可以制作在基片上，從而實現了沒有外接補償元件的所謂“ 內藏補償” 。
設計放大電路時，米勒效應的特性需要被考慮進去。這包括選擇合適的元件、增加輸入和輸出信號之間的電容來抵消它帶來的影響等。此外，米勒效應還可以被應用于一些領域，如毫微秒計數和時間測量等。
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