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    6. MOS管的基礎(chǔ)特性和實際應(yīng)用介紹
      • 發(fā)布時間:2024-07-20 18:11:44
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      MOS管的基礎(chǔ)特性和實際應(yīng)用介紹
      一、MOS管的基礎(chǔ)特性
      (1)MOS管有柵極G,漏極D,源極S;
      (2)PMOS管(類似于PNP),低電平導(dǎo)通,高電平截止;
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      PMOS管
      (3)NMOS管(類似于NPN),高電平導(dǎo)通,低電平截止。
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      NMOS管
      二、MOS管的開關(guān)特性應(yīng)用
      1、阻斷VCC端
      用于阻斷VCC端,使用PMOS管,且源端S接VCC端。
      使用Multisum仿真,效果如下:
      (1)G極接低電平
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      (2)G極接高電平
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      2、阻斷GND端
      用于阻斷GND端,使用NMOS管,且源端S接GND端。
      使用Multisum仿真,效果如下:
      (1)G極接低電平
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      (2)G極接高電平
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      三、MOS管的實際應(yīng)用
      (1)替換三極管
      因MOS管沒有結(jié)點電壓,三極管有0.3V的CE極結(jié)點電壓,故常用于替換三極管,做信號端控制。
      (2)用于低功耗電路的電源輸出控制
      在做電池供電類的低功耗產(chǎn)品時,對于主控休眠時,
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      電源控制
      需要對不工作的電路部分,進行斷電,來減少電量損耗。
      如遙控器不操作時,芯片休眠,且斷開對射頻部分的供電。
      (3)用于防反接電路
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      防反接
      防止電路中,VCC與GND接反,導(dǎo)致電路燒壞。
      (4)用于推挽輸出
      MOS管 基礎(chǔ)特性
      推挽輸出
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