首先，單片機(jī)的IO口帶有一定的負(fù)載能力，但電流很小，驅(qū)動(dòng)能力有限，一般在10-20毫安以內(nèi)，因此一般不采用單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載的方式。
我們來(lái)簡(jiǎn)單對(duì)比下三極管和MOS管驅(qū)動(dòng)上的區(qū)別
三極管：
三極管是電流控制型，只要基極驅(qū)動(dòng)電壓高于Ube的死區(qū)電壓，一般0.7V就可以導(dǎo)通。
對(duì)于三極管來(lái)說(shuō)，3.3V肯定是大于Ube，可以根據(jù)IO口電壓以及限流電阻推算出基極電流（Ib=（VO-0.7V）/R2。），因此直接在基極串聯(lián)一個(gè)合適的電阻，讓三極管工作在飽和區(qū)就可以了。
處理器一般講究低功耗，供電電壓會(huì)比較低。
處理器一般講究低功耗，供電電壓會(huì)比較低。
因此一般單片機(jī)供電在3.3V，它的IO口最高電壓是3.3V。
MOS管：
MOS管是電壓控制型，驅(qū)動(dòng)電壓必須高于閾值電壓Vgs才能正常導(dǎo)通，也就是說(shuō)高于死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通。
不同的MOS管的閾值電壓是不一樣的，一般在3-5V左右。，而飽和驅(qū)動(dòng)電壓在6-8V，大于IO口電壓的3.3V。
如果用3.3V來(lái)驅(qū)動(dòng)的話，可能MOS管根本就打不開(kāi)，或者處于半導(dǎo)通的狀態(tài)。半導(dǎo)通的狀態(tài)下，管子的內(nèi)阻會(huì)很大，如果驅(qū)動(dòng)小，電流負(fù)載可以用，但是大電流負(fù)載就不允許了，內(nèi)阻太大，功耗也會(huì)很大，MOS管就容易燒毀。
因此，一般選IO口直接控制三極管，再去控制MOS管。
為什么要用三極管來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管？
這是因?yàn)槿龢O管的帶負(fù)載能力沒(méi)有MOS管的強(qiáng)，當(dāng)負(fù)載電流有要求時(shí)，就需要用MOS管來(lái)驅(qū)動(dòng)了。
那可以直接驅(qū)動(dòng)MOS管嗎？
上面已經(jīng)給出了解釋，不過(guò)不排除一些很小功率的MOS管可以進(jìn)行操作。
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